Wirtschaftlichkeit oberstes Credo in der Solarfertigung

VAT kann trotz eingetränkter Besucherregelung für ausländische Teilnehmer eine positive Bilanz seiner diesjährigen SNEC Beteiligung ziehen. So beobachtet das VAT China-Team, das die noch in den vergangenen Jahren starke Fokussierung auf die initialen Investitionskosten für Ventiltechnik schrittweise einer stärkeren Betrachtung der Gesamt-Lebenszyklus-Kosten weicht. «Besucher, vorallem Endanwender zeigen ein stärkeres Interesse daran zu erfahren, wie wir eine hohe Verfügbarkeit garantieren und den Wartungsaufwand reduzieren.» berichtet Jacky Xia von seinem Gesprächen am Messestand. «Generell bekommen wir auch immer wieder Fragen, wie wir die Prozess-Stabilität speziell unserer Transferventile über längere Produktionszyklen sicherstellen». So können beispielsweise starke thermische Schwankungen zu Prozesskammerdeformationen führen, die sich negativ auf die Dichtungsleistung der Transferventile auswirken können. Problemstellungen auf die VAT in seinem aktuellen Portfolio eine Antwort bietet.

Neben der aktuellen Ventiltechnologie gewinnt auch zunehmen der Bereich der Nachrüstung wachsendes Interesse. Nicht nur regelmäßige Wartung garantiert eine hohe Produktivität, auch die gezielte Nachrüstung kann für eine laufende Produktion relevante Wirtschaftlichkeitsvorteile bringen. Mit seinem wachsenden  Upgrade & Retrofit-Programm bietet VAT Lösungen auch für diesen Bereich. Als spezielles Produkt für den Service-Bereich hat VAT auf der SNEC auch seinen neuen Fixed-Price-Refurbishment-Service vorgestellt. Als Alternative zu einer risikobehafteten"Run to Failure"-Strategie, bietet er die Möglichkeit eine garantierte Ergebnisqualität, bei reduziertem Risiko zu fixen kosten zu erhalten.

Die 15. SNEC International Photovolatic Power Generation and Smart Energy Conference & Exhibtion fand in diesem Jahr, wie im Vorjahr wieder in Shanghai im Shanghai New Int'l Expo Center statt.

Als Leitmesse für die Photovoltaik deckt die SNEC dengesamten Bereich der Potovoltaik-Produktion ab.