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イオン注入

シリコン基板の電気特性を変えるために用いられるイオン注入は、イオンを加速してターゲットに注入する低温プロセスです。イオン注入プロセスの成功は、イオン注入装置内の真空の質と、高真空環境を制御し隔離する真空バルブに大きく依存します。

イオン注入装置内の真空状態を最適に隔離・制御するためには、プロセスにおいて物理的に中立な動作を示しながら、精密な制御を可能にする真空バルブが必要です。

イオン注入プロセスの問題を解決するためのVAT真空バルブソリューションの詳細については、以下の製品からお選びください。

対象製品

大型角型ゲートバルブMONOVAT

02.4

大型角型ゲートバルブMONOVAT

第6世代までのディスプレイおよびPV生産システムで発揮される優れたパフォーマンス

L-VAT大型切換ドア

07.7

L-VAT大型切換ドア

ディスプレイおよびPV生産システムの優れたパフォーマンス

FVゲートバルブ

12.1

1 × 10-7 mbar to 1.6 bar (abs)

FVゲートバルブ

真空防止の標準バルブ

高真空アングルバルブ

26.4

DN 10– 40

高真空アングルバルブ

妥協のない柔軟性と信頼性

高真空管内バルブ

26.5

DN 10– 40

高真空管内バルブ

妥協のない信頼性

ソフト排気用HVアングルバルブ

29.2

1 × 10-7 mbar~2 bar (abs)

ソフト排気用HVアングルバルブ

乱流や圧力振動を回避、高コンダクタンススペクトラム(DN 100~160)

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