基板搬送
半導体の製造は、専用のプロセスチャンバーで何段階かに分けて行われます。トランスファーバルブは、あるプロセスチャンバーから別のプロセスチャンバーへの移動...
詳細情報
高パーティクルパフォーマンスで品質と生産性を最大化
半導体製造装置の大気仕切ドアでは、パーティクルの発生や放出が少ないというパーティクルパフォーマンスに加えて、高速で信頼性の高い開閉サイクルが重要なパフォーマンス指標となります。
LINVATを採用した新しい高真空仕切ドア/インサート07.0は、調整可能な高速サイクルタイムにより優れたパーティクルパフォーマンスと最適化された制御性の両方を兼ね備えます。
インストールオプション
取付ネジ 4 x M6
取付ネジ 4 x M8
（真空シールなし）
パーティクルパフォーマンスの新基準
LINVATテクノロジーを採用した高真空仕切ドア/インサート07.0は、パーティクルパフォ ーマンスと高速サイクルタイムを最適化することに重点を置いて設計されています。
均一なシール性能のためのプレート上のトーションバーや完全に密封されたアクチュエータによりグリスフリー。閉まる際の衝撃を避けるために速度プロファイルを調整できるリアルLモーションなど、様々な設計上の特徴を最適化することで、卓越したレベルのパーティクルパフォーマンスを実現しています。
VATの特殊な LINVATテクノロジーにより07.0 の速度調整可能な卓越したリアルLモーションを実現。 LINVATでは、Lモーションの水平垂直の動きを二つの独立したアクチュエータで行うのではなく、一つのアクチュエータによる二段階の動きでその動きを達成します。その結果、高速で安定した、調整可能で衝撃のない動きを実現する、信頼性の高いアクチュエータコンセプトが生まれました。それにより稼働率と制御性の向上が達成されました。
SERIES 07.0 搬送用高真空ドア/インサートLINVATの主な特徴
特徴：
- パーティクルパフォーマンスを高める設計
- グリスフリーの動作環境に適用
- 抜群の精度を誇るLモーション
- 均一なシール
- D-subとAMPのどちらでも接続可能
メリット：
- 卓越したパーティクルパフォーマンス
- 高い稼働率
- 信頼性の高いオペレーション
- 技術データ
- ダウンロード
| サイズ | DN 10 mm (1.81" × 9.29") DN 12 mm (1.97" × 13.23") DN 14 mm (1.38" × 13.23") DN 15 mm (2.56" × 16.54") DN 20 mm (1.97" × 16.54") |
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|---|---|---|---|
| アクチュエータ | 圧空作動式 | ||
| シャフトフィードスルー | ベローズ | ||
| リークレート | < 1 × 10-7 mbar ls-1 | ||
| ゲートにかけ得る許容最大差圧 | 閉方向 | ≤ 1 bar | |
| 開方向 | ≤ 0.1 bar | ||
| バルブを開けるときの許容最大差圧 | ≤ 30 mbar | ||
| 第1回サービスまでのサイクル数 | ≥ 300万 | ||
| 作動時間 | 開動作 | ≤ 1 s | |
| 閉動作 | ≤ 1 s | ||
| 温度 | ゲート部 | ≤ 120 °C | |
| アクチュエータ部 | ≤ 80 °C | ||
| 材料 | ゲート | アルミニウム | |
| ベローズ保護 | PTFE | ||
| シール | FFKM、焼付処理 | ||
| 取り付け位置 | アクチュエータ上向または下向 | ||
| 圧空消失の異常時にロック | 空気圧ロック | ||
| リミットスイッチ | リードスイッチ | ||
| 重量 | DN 10, DN 12, DN 15 DN 14, DN 20 |
8.5 kg /18.7 lbs 7.5 kg /16.5 lbs |
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