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Erhöhung des Waferdurchsatzes in HARP und eHARP Prozessen mit X2 vulkanisierten Tellern

by Loepfe Reto | Jun 07, 2012
Das neue VAT-eigene X2-Vulkanisierungsverfahren ohne chemische Haftmittel gestattet eine Verdoppelung der Lebensdauer von Tellern in aggressiven chemischen Prozessen.

HARP und eHARP sind Prozesse der Halbleiter-Herstellung, in welchen Oxyd-Schichten mittels CVD und ohne Verwendung von Plasma abgeschieden werden. Diese dienen zum Auffüllen von Grabenisolationen (shallow trench isolation STI) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen neuester Generation. Beide Prozesse verwenden Wasserdampf für die TEOS/Ozon-Chemie.

Mit der Verwendung von X2 vulkanisierten Tellern steigt die Anzahl verarbeiteter Wafer zwischen den Wartungseingriffen signifikant an. Das von VAT entwickelte X2-Verfahren erlaubt das Vulkanisieren von Elastomer-Dichtungen ohne chemische Haftmittel. Somit entfällt die Möglichkeit, dass der chemische Prozess das Haftmittel angreift. In der Folge steigt die Lebensdauer der Tellerdichtung in aggressiven Prozessen markant an. Die Kombination des X2-Verfahrens mit prozessoptimierten Elastomeren kann somit die Lebensdauer, bezogen auf die Anzahl verarbeiteter Wafer zwischen zwei Wartungszyklen, ohne weiteres verdoppeln.

VAT bietet neu X2 vulkanisierte Teller an mit den meisten elastomeren Dichtungsmaterialien aller grösseren Elastomer-Herstellern der Halbleiter-Industrie.

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